STMicroelectronics
VNN3NV04PTR-E
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 55 V、输出电流 3.5 A、工作温度范围 - 40 C to + 150 C、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOT-223 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- STMicroelectronics
- 产品类别
- Gate Drivers
- 产品系列
- VNN3NV04P-E
- 封装
- SOT-223
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
18 项参数- 产品
- MOSFET Gate Drivers
- 类型
- Low Side
- 驱动器数
- 1 Driver
- 输出数
- 1 Output
- 输出电流
- 3.5 A
- 上升时间
- 250 ns
- 下降时间
- 250 ns
- 电源电压范围
- 2.5～55 V
- 工作电源电流
- 100 uA
- 耗散功率（Pd）
- 35 W
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 认证等级
- AEC-Q100
展开更多参数（6 项）
- 工作温度范围
- - 40 C to + 150 C
- 技术
- Si
- 最大关断延迟时间
- 450 ns (Typ)
- 最大导通延迟时间
- 90 ns (Typ)
- 湿敏性
- 是
- 单件重量
- 0.003951 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。