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134,686 条型号记录
每页 20 条

VNQ7040AYTR

STMicroelectronics

主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。
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UCC20225NPLR

Texas Instruments · 封装：VLGA-13

主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 9.2～25 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 VLGA-13 封装。
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FAN3224TUMX-F085

ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 9.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 - 2 V to + 18.3 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。
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1ED020I12B2XUMA1

Infineon Technologies · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 20 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 SOIC-16 封装。
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2ED020I12F2XUMA1

Infineon Technologies · 封装：SOIC-36

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 6.5 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side，采用 SOIC-36 封装。
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IR35401MTRPBF

Infineon Technologies

主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 SP001527590。
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L6399DTR

STMicroelectronics · 封装：SO-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 580 V、输出电流 430 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SO-8 封装。
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2EDN7424RXUMA1

Infineon Technologies · 封装：PG-TSSOP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PG-TSSOP-8 封装。
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FDMF2011

ON Semiconductor / Fairchild

主要参数包括技术 Si、单件重量 0.005138 oz。
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UCC21521ADW

Texas Instruments · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 6.5～25 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。
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ISO5452DW

Texas Instruments · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 2.25 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 15～30 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 SOIC-16 封装。
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ADUM4120-1ARIZ

Analog Devices · 封装：SOIC-6

主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 4.4 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-6 封装。
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PWD13F60TR

STMicroelectronics · 封装：VFQFPN-28

主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、输出电流 8 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 VFQFPN-28 封装。
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IRS2007SPBF

Infineon Technologies · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 600 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。
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ADUM4121-1ARIZ

Analog Devices · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 6.5 V、输出电压 4.5 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。
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DRV8323RHRGZT

Texas Instruments · 封装：VQFN-48

主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 60 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 VQFN-48 封装。
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ISO5852SQDWQ1

Texas Instruments · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 2.25 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 15～30 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。
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MCP14A0452-E/SN

Microchip Technology · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。
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