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STMicroelectronics

PWD13F60TR

主要参数包括电源电压(最小值) 6.5 V、输出电流 8 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver,采用 VFQFPN-28 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
STMicroelectronics
产品类别
Gate Drivers
产品系列
PWD13F60
封装
VFQFPN-28
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

15 项参数
产品
MOSFET Gate Drivers
类型
Half-Bridge
驱动器数
2 Driver
输出数
2 Output
输出电流
8 A
电源电压(最小值)
6.5 V
工作电源电流
270 uA
耗散功率(Pd)
450 W
工作温度范围
-40~125 °C
技术
Si
关断功能
No Shutdown
最大关断延迟时间
360 ns
展开更多参数(3 项)
最大导通延迟时间
280 ns
湿敏性
是
漏源导通电阻(Rds On)
320 mOhms

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

PWD13F60TR 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技