SM72482MAX-4/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 3.5～14 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录P67001EXG8
IDT
主要参数包括技术 Si、型号别名 IDTP67001EXG8。ZSPM2000ZI2R1
IDT · 封装：QFN-28
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.002497 oz，采用 QFN-28 封装。AUIPS8121RTRLXSMA1
Infineon Technologies
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 AUIPS8121RTRL SP001514874。MAX5054AATA/V+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side、驱动器数 2 Driver。VN5E025AJ-E
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 28 V、工作电源电压 13 V、输出电流 60 A、技术 Si、类型 High Side。VNQ5E050K-E
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 28 V、工作电源电压 13 V、技术 Si、类型 High Side、驱动器数 4 Driver。VNQ5050AK-E
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 13 V、技术 Si、驱动器数 4 Driver、输出数 4 Output、工作电源电流 14 mA。BM6104FV-CE2
ROHM Semiconductor · 封装：SSOP-20
主要参数包括技术 Si、型号别名 BM6104FV-C，采用 SSOP-20 封装。VN5012AK-E
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output、工作电源电流 1.5 uA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、认证等级 AEC-Q100。LM5112SD
Texas Instruments · 封装：WSON-6
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 3.5～14 V、输出电流 7 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-6 封装。VND5E050J-E
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 28 V、工作电源电压 13 V、技术 Si、类型 High Side、驱动器数 2 Driver。VN5010AK-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSSO-24
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 36 V、输出电流 65 A、技术 Si、类型 High Side、产品 Driver ICs - Various，采用 PowerSSO-24 封装。BM60014FV-CE2
ROHM Semiconductor · 封装：SSOP-20
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、型号别名 BM60014FV-C，采用 SSOP-20 封装。MAX13253ATB+
Maxim Integrated · 封装：TDFN-10
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 TDFN-10 封装。VPS2535HTR
STMicroelectronics · 封装：PowerSSO-24
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 36 V、输出电流 55 A、技术 Si、类型 High Side、产品 Driver ICs - Various，采用 PowerSSO-24 封装。5962-8877002PA
Maxim Integrated · 封装：CERDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 CERDIP-8 封装。5962-8877003PA
Maxim Integrated · 封装：CDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 600 mA、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 CDIP-8 封装。BD6563FV-LBE2
ROHM Semiconductor · 封装：SSOP-B-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 10～25 V、输出电流 600 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SSOP-B-16 封装。VND5T035AK-E
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。