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ROHM Semiconductor

BD6563FV-LBE2

主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 5.5 V、输出电压 10~25 V、输出电流 600 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side,采用 SSOP-B-16 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
ROHM Semiconductor
产品类别
Gate Drivers
封装
SSOP-B-16
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
卷盘
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

8 项参数
产品
IGBT, MOSFET Gate Drivers
类型
High Side, Low Side
输出电流
600 mA
电源电压范围
3~5.5 V
工作温度范围
-25~125 °C
输出电压
10~25 V
技术
Si
型号别名
BD6563FV-LB

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

BD6563FV-LBE2 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技