SI82398BD4-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 8 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录SI82398CD-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 7.1 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 TTL，采用 SOIC-16 封装。SI82398AD-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 7.1 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 TTL，采用 SOIC-16 封装。SI82394AD-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 7.1 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 TTL，采用 SOIC-16 封装。SI82394CD-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 7.1 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 TTL，采用 SOIC-16 封装。SI82397AD-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 4.4 mA、技术 Si、逻辑类型 TTL、产品 Isolated Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。SIC788ACD-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：MLP-66-40
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 3.3 V、输出电流 50 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 MLP-66-40 封装。LM5134ASDX/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 12.6 V、工作电源电压 12.6～4 V、输出电流 7.6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-6 封装。LM5134BSDX/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 12.6 V、工作电源电压 12.6～4 V、输出电流 7.6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-6 封装。ISO1H801GXT
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、商品名称 ISOFACE、型号别名 ISO1H801GAUMA1 SP000722122。SIC779ACD-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：PowerPAK MLP-40
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电压 0.8 V to 2 V, 5 V、输出电流 40 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PowerPAK MLP-40 封装。SI8235BD-D-IS3R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。SI8233BD-D-IS3R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。SI8233AD-D-IS3R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。SI8238AD-D-IS3R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。SI8235AD-D-IS3R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。SI8238BD-D-IS3R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。SIC783ACD-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：MLP-66-40
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电压 3.3 V、输出电流 50 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 MLP-66-40 封装。Si823H1BD-IS3R
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si。Si823H8AD-IS3R
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。