Vishay / Siliconix
SIC779ACD-T1-GE3
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电压 0.8 V to 2 V, 5 V、输出电流 40 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PowerPAK MLP-40 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Vishay
- 品牌
- Vishay / Siliconix
- 产品类别
- Gate Drivers
- 产品系列
- SIC7
- 封装
- PowerPAK MLP-40
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
20 项参数- 产品
- MOSFET Gate Drivers
- 类型
- High Side, Low Side
- 驱动器数
- 1 Driver
- 输出数
- 1 Output
- 输出电流
- 40 A
- 配置
- Single
- 上升时间
- 8 ns, 15 ns
- 下降时间
- 8 ns
- 电源电压范围
- 3～16 V
- 工作电源电流
- 600 uA
- 耗散功率（Pd）
- 25 W, 10 W
- 工作温度范围
- -40～125 °C
展开更多参数（8 项）
- 特性
- Automatic skip mode operation (SMOD) for light load efficiency, Under-voltage lockout, Built-in bootstrap schottky diode, Adaptive deadtime and shoot through protection, Thermal shutdown warning flag
- 输出电压
- 0.8 V to 2 V, 5 V
- 技术
- Si
- 关断时间（最大值）
- 30 ns, 30 ns
- 关断功能
- Shutdown
- 最大关断延迟时间
- 30 ns
- 最大导通延迟时间
- 30 ns
- 商品名称
- DrMOS VRPower
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。