MCP1403T-E/SO
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-16 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录VN7140AS12TR
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 28 V、工作电源电压 4～28 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS，采用 SO-8 封装。MCP14A0151T-E/MAY
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si。TC1411VUA713
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 MSOP-8 封装。VOD3120AG
Vishay Semiconductors · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 15 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 35 V、输出电流 2.5 A、技术 GaAs、类型 High Side, Low Side，采用 DIP-8 封装。SI8261CBD-C-ISR
Silicon Labs
主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver。MIC4607-2YTS-T5
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si。RAA220001GNP#HA0
Renesas / Intersil · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电压 6～12 V、输出电流 1.75 A、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DFN-8 封装。IRS2008MTRPBFAUMA1
Infineon Technologies
主要参数包括型号别名 IRS2008MTRPBF SP005259966。DGD2181MS8-13
Diodes Incorporated · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 20 V、输出电流 2.3 A、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SO-8 封装。VNQ500N-E
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。SI82305B-D-IS1R
Silicon Labs
Gate DriversMCP14A0602T-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 0.025 V, 4.475 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 MSOP-8 封装。DGD2184MS8-13
Diodes Incorporated · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 20 V、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SO-8 封装。MCP14A0601T-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 0.025 V, 4.475 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 MSOP-8 封装。LM5134AMFX/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 12.6 V、工作电源电压 12.6～4 V、输出电流 7.6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-6 封装。LM5134BMFX/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 12.6 V、工作电源电压 12.6～4 V、输出电流 7.6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-6 封装。VN808CMSTR
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si。DGD21814MS14-13
Diodes Incorporated · 封装：SO-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 2.3 A、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SO-14 封装。SID1151K-TL
Power Integrations · 封装：eSOP-R16B
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、输出电流 5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 eSOP-R16B 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。