Silicon Labs
SI8261CBD-C-ISR
主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Silicon Laboratories
- 品牌
- Silicon Labs
- 产品类别
- Gate Drivers
- 产品系列
- Si8261
- 包装方式
- 卷盘
技术参数
13 项参数- 产品
- IGBT, MOSFET Gate Drivers
- 驱动器数
- 1 Driver
- 输出数
- 1 Output
- 输出电流
- 4 A
- 上升时间
- 5.5 ns
- 下降时间
- 8.5 ns
- 电源电压范围
- 6.5～30 V
- 传播延迟（最大值）
- 60 ns
- 工作电源电流
- 30 mA
- 耗散功率（Pd）
- 225 mW
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 技术
- Si
展开更多参数（1 项）
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 5.1 Ω
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。