TWR-34933EVB
NXP / Freescale
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、型号别名 935328539598、单件重量 1 lb。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录LTC7000MPMSE#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 135 V、输出电压 3.5～15 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-16 封装。TWR-MC-MVHB1EVB
NXP / Freescale
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、型号别名 935327716598、单件重量 0 oz。LTC7000MPMSE-1#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 135 V、输出电压 3.5～15 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-16 封装。LTC7000MPMSE-1#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 135 V、输出电压 3.5～15 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-16 封装。LTC7003MPMSE#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 60 V、输出电压 3.5～15 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-16 封装。LTC7001MPMSE#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-10
主要参数包括电源电压（最小值） 0 V、电源电压（最大值） 135 V、输出电压 3.5～15 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-10 封装。UCD7231RTJT
Texas Instruments · 封装：QFN-20
主要参数包括电源电压（最小值） 4.7 V、电源电压（最大值） 15 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、产品 Driver ICs - Various、上升时间 30 ns，采用 QFN-20 封装。MAX5056BASA+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、技术 Si、类型 Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 85 ns。MAX5055AASA+
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、技术 Si、类型 Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 85 ns。BS2100F-E2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 618 V, 18 V、输出电流 130 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOP-8 封装。MAX5054AATA+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、技术 Si、类型 Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 85 ns。UCD7231RTJR
Texas Instruments · 封装：QFN-20
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、湿敏性 是、单件重量 0.001344 oz，采用 QFN-20 封装。UCD7230ARGWR
Texas Instruments · 封装：VQFN-20
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C、湿敏性 是、单件重量 0.002469 oz，采用 VQFN-20 封装。UCD7230ARGWT
Texas Instruments · 封装：VQFN-20
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C、湿敏性 是、单件重量 0.002469 oz，采用 VQFN-20 封装。MAX5057BASA+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、技术 Si、类型 Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 85 ns。AUIR3330STRL
Infineon / IR · 封装：D2PAK-7
主要参数包括技术 Si、类型 High Side、产品 Half-Bridge Drivers、上升时间 1300 ns、下降时间 650 ns、工作电源电流 2 uA，采用 D2PAK-7 封装。AUIPS7121RTRL
Infineon / IR · 封装：DPAK-5
主要参数包括输出电流 3.8 A、技术 Si、类型 High Side、产品 Half-Bridge Drivers、输出数 1 Output、耗散功率（Pd） 2.5 W，采用 DPAK-5 封装。BTN8980TAAUMA1
Infineon Technologies · 封装：TO-263-7
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 8～18 V、输出电流 50 A、工作温度范围 - 40 C to + 150 C、技术 Si，采用 TO-263-7 封装。MAX5055AASA+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、技术 Si、类型 Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 85 ns。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。