ROHM Semiconductor
BS2100F-E2
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 618 V, 18 V、输出电流 130 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOP-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- Gate Drivers
- 产品系列
- BS2100F
- 封装
- SOP-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
17 项参数- 产品
- IGBT, MOSFET Gate Drivers
- 类型
- High Side, Low Side
- 驱动器数
- 2 Driver
- 输出数
- 2 Output
- 输出电流
- 130 mA
- 上升时间
- 200 ns
- 下降时间
- 100 ns
- 电源电压范围
- 10～18 V
- 工作电源电流
- 120 uA
- 耗散功率（Pd）
- 670 mW
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 输出电压
- 618 V, 18 V
展开更多参数（5 项）
- 技术
- Si
- 最大关断延迟时间
- 330 ns
- 最大导通延迟时间
- 320 ns
- 型号别名
- BS2100F
- 单件重量
- 0.030018 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。