NCP302040MNTWG
ON Semiconductor · 封装：PQFN-31
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 40 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PQFN-31 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录RE46C117S8TF
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是，采用 SOIC-8 封装。MC20XS4200FKR2
NXP / Freescale · 封装：PQFN-23
主要参数包括工作电源电压 8～36 V、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、湿敏性 是、型号别名 934070643578，采用 PQFN-23 封装。MC50XS4200BEKR2
NXP / Freescale
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 934070502518、单件重量 0.017030 oz。HIP2105FRZ
Renesas / Intersil · 封装：DFN-10
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 5 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 DFN-10 封装。CW01K6-G
Microchip Technology · 封装：QFN-24
主要参数包括技术 Si，采用 QFN-24 封装。IRS2552DSTRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10.6 V、电源电压（最大值） 15.6 V、工作电源电压 10.6～15.6 V、输出电流 450 mA、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-16 封装。DGD21064MS14-13
Diodes Incorporated · 封装：SO-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 W、输出电流 600 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SO-14 封装。TC1427EPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括技术 Si，采用 PDIP-8 封装。MCP1407T-E/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-S-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 DFN-S-8 封装。VND5E025LKTR-E
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。IRS21091PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 290 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。SI8233CB-D-IM
Silicon Labs
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 12.2～24 V、输出电压 24 V、输出电流 4 A、技术 Si。SI8231BD-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。NCV5106ADR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。VOL3120T
Vishay Semiconductors
主要参数包括技术 Si。IXI859S1
IXYS · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8.2 V、电源电压（最大值） 17 V、工作电源电压 13 V、输出电压 3.3 V、输出电流 120 mA、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。SI8271ABD-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。SI8232BB-D-ISR
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 20 ns。MAX15018BASA+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 50 ns。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。