IXYS
IXI859S1
主要参数包括电源电压（最小值） 8.2 V、电源电压（最大值） 17 V、工作电源电压 13 V、输出电压 3.3 V、输出电流 120 mA、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- IXYS
- 产品类别
- Gate Drivers
- 产品系列
- IXI859S1
- 封装
- SOIC-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
12 项参数- 产品
- MOSFET Gate Drivers
- 类型
- Non-Inverting
- 驱动器数
- 1 Driver
- 输出电流
- 120 mA
- 电源电压范围
- 8.2～17 V
- 工作电源电流
- 1 mA
- 耗散功率（Pd）
- 500 mW (1/2 W)
- 工作温度范围
- -25～125 °C
- 输出电压
- 3.3 V
- 技术
- Si
- 工作电源电压
- 13 V
- 单件重量
- 0.010582 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。