MP86981DU-LF-Z
Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括技术 Si。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录TC4627EOE713
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 4～6 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。MAX15019BASA+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 50 ns。IXDN614SITR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、商品名称 Clare，采用 SOIC-8 封装。ISL89163FRTBZ-T
Renesas / Intersil · 封装：TDFN-EP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 16 V、输出电流 6 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 20 ns，采用 TDFN-EP-8 封装。ISL89164FRTBZ-T
Renesas / Intersil · 封装：TDFN-EP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 16 V、输出电流 6 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 20 ns，采用 TDFN-EP-8 封装。ISL6608CBZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si，采用 SOIC-Narrow-8 封装。HIP2101IRZ
Renesas / Intersil · 封装：QFN EP
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 2 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 600 ns，采用 QFN EP 封装。ISL6609ACRZ-T
Renesas / Intersil · 封装：QFN EP
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 QFN EP 封装。IR2132PbF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-28
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 625 V、输出电压 0.3 V、输出电流 200 mA、技术 Si，采用 PDIP-28 封装。IXDF602PI
IXYS Integrated Circuits · 封装：DIP-8
主要参数包括技术 Si、商品名称 Clare，采用 DIP-8 封装。TC4451VOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 SOIC-8 封装。NCP81022NMNTXG
ON Semiconductor
Gate Drivers AMD VR CONTROLLERTPIC46L02DBR
Texas Instruments · 封装：SSOP-28
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、特性 Diagnostics, Fault Protection, Pre-FET Driver、单件重量 0.025045 oz，采用 SSOP-28 封装。IX21844NTR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOIC-14 封装。LM5101BSDX/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-10 封装。ISL89400AR3Z
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-9
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 1.25 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 1 us，采用 DFN-EP-9 封装。UC2715DTR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 7～20 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。IX3120GESTR
IXYS Integrated Circuits
主要参数包括技术 Si。IX3120GES
IXYS Integrated Circuits
主要参数包括技术 Si。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。