Renesas / Intersil
ISL6608CBZ
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si，采用 SOIC-Narrow-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Renesas Electronics
- 品牌
- Renesas / Intersil
- 产品类别
- Gate Drivers
- 产品系列
- ISL6608
- 封装
- SOIC-Narrow-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
23 项参数- 产品
- MOSFET Gate Drivers
- 类型
- High Side, Low Side
- 驱动器数
- 2 Driver
- 输出数
- 2 Output
- 输出电流
- 4 A
- 上升时间
- 8 ns
- 下降时间
- 8 ns
- 电源电压范围
- 4.5～5.5 V
- 传播延迟（最大值）
- 35 ns
- 工作电源电流
- 80 uA
- 耗散功率（Pd）
- 800 mW
- 工作温度范围
- 0～70 °C
展开更多参数（11 项）
- 特性
- Synchronous
- 高度
- 1.5 mm
- 长度
- 5 mm
- 技术
- Si
- 宽度
- 4 mm
- 关断功能
- Shutdown
- 最大时钟频率
- 2 MHz
- 湿敏性
- 是
- 工作电源电压
- 5 V
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 500 mOhms
- 单件重量
- 0.002540 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。