UCC27223PWPR
Texas Instruments · 封装：HTSSOP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 3.7 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 3.7～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 HTSSOP-14 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MP18024HN-LF-Z
Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。MIC4414YFT-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：QFN-4
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、型号别名 MIC4414YFT TR，采用 QFN-4 封装。BU2050F-E2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-14
主要参数包括技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、型号别名 BU2050F，采用 SOP-14 封装。EL7212CSZ-T13
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 15 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。UCC27423QDGNRQ1
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。ISL55111IRZ-T
Renesas / Intersil · 封装：QFN EP
主要参数包括技术 Si、上升时间 6.2 ns、下降时间 6.9 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 0.95 mm，采用 QFN EP 封装。MIC5015YM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、型号别名 MIC5015YM TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。UC3705DTR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 40 V、工作电源电压 5～40 V、输出电流 1.5 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。CSD96497Q5MC
Texas Instruments · 封装：VSON-CLIP-12
主要参数包括输出电流 65 A、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 VSON-CLIP-12 封装。HIP4083ABZT
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括电源电压（最大值） 15 V、输出电流 300 mA、技术 Si、驱动器数 3 Driver、输出数 3 Output、上升时间 60 ns，采用 SOIC-Narrow-16 封装。MAX4420ESA+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 1 Driver、输出数 2 Output。ISL6605IRZ
Renesas / Intersil · 封装：QFN EP
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 QFN EP 封装。SI8235BB-D-IMR
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns。EL7252CSZ-T7
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10000 kHz、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 2 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。ISL6596CRZ-T
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-10
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 DFN-EP-10 封装。HIP2100EIBZT
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-EP-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 2 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 10 ns，采用 SOIC-EP-Narrow-8 封装。ISL83202IBZT
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括最大时钟频率 200 kHz、电源电压（最大值） 15 V、输出电流 1 A、技术 Si、驱动器数 4 Driver、输出数 4 Output，采用 SOIC-Narrow-16 封装。TC4422ESM713
Microchip Technology · 封装：SOIJ-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 SOIJ-8 封装。FAN7080M-GF085
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q101、湿敏性 是、型号别名 FAN7080M_GF085、单件重量 0.008127 oz。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。