Renesas / Intersil
HIP2100EIBZT
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 2 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 10 ns，采用 SOIC-EP-Narrow-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Renesas Electronics
- 品牌
- Renesas / Intersil
- 产品类别
- Gate Drivers
- 产品系列
- HIP2100
- 封装
- SOIC-EP-Narrow-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
19 项参数- 驱动器数
- 2 Driver
- 输出数
- 2 Output
- 输出电流
- 2 A
- 上升时间
- 10 ns
- 下降时间
- 10 ns
- 电源电压（最大值）
- 14 V
- 传播延迟（最大值）
- 35 ns
- 工作电源电流
- 2.5 mA
- 耗散功率（Pd）
- 3.1 W
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 特性
- Independent
- 高度
- 1.55 mm
展开更多参数（7 项）
- 长度
- 4.98 mm
- 技术
- Si
- 宽度
- 3.99 mm
- 最大关断延迟时间
- 8 ns
- 最大导通延迟时间
- 8 ns
- 湿敏性
- 是
- 单件重量
- 0.002646 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。