MC10XS4200BAFK
NXP / Freescale
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 934070607557、单件重量 0.034297 oz。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MIC5019YFT-T5
Microchip Technology / Micrel · 封装：QFN-4
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 9 V、输出电压 11.4 V、输出电流 10.6 uA、技术 Si、类型 High Side，采用 QFN-4 封装。RE46C107S16F
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 5 V、工作电源电压 2～5 V、技术 Si、逻辑类型 CMOS、产品 Piezoelectric Horn Drivers，采用 SOIC-16 封装。RE46C105S14F
Microchip Technology · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 13.8 V、技术 Si、工作电源电流 3.5 uA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-14 封装。LTC4444MPMS8E-5#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.5 V、输出电压 4.5～13.5 V、输出电流 1.75 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 MSOP-8 封装。SI8261BBC-C-IPR
Silicon Labs · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 74 ns、工作电源电流 30 mA，采用 DIP-8 封装。MCP14628-E/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DFN-8 封装。SI8261AAC-C-IP
Silicon Labs · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 0.4 V、输出电流 600 mA、技术 Si、类型 Inverting，采用 DIP-8 封装。MLX83100LGO-DBA-000-SP
Melexis · 封装：TSSOP-28
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 28 V、输出电压 12 V、输出电流 1.6 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 TSSOP-28 封装。HIP2101IBZT7A
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 9 VDC to 14 VDC、输出电压 0.4 V、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。SI8282BC-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-20
主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 30 V、输出电流 84 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-20 封装。SI82390CB-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括工作电源电压 12.8～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI82397AD-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-Wide-16 封装。SI8232BD-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。MCP14E11-E/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DFN-8 封装。SI8261ABC-C-IPR
Silicon Labs · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 63 ns、工作电源电流 30 mA，采用 DIP-8 封装。MCP14E9-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。LT1160IS#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 60 V、输出电流 1.5 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SO-14 封装。SI82398BD-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括工作电源电压 10～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-Wide-16 封装。ISL6622IRZ
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-10
主要参数包括电源电压（最大值） 13.2 V、输出电流 3 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 26 ns，采用 DFN-EP-10 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。