Renesas / Intersil
HIP2101IBZT7A
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 9 VDC to 14 VDC、输出电压 0.4 V、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Renesas Electronics
- 品牌
- Renesas / Intersil
- 产品类别
- Gate Drivers
- 产品系列
- HIP2101
- 封装
- SOIC-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
16 项参数- 产品
- MOSFET Gate Drivers
- 类型
- Half-Bridge
- 驱动器数
- 1 Driver
- 上升时间
- 10 ns
- 下降时间
- 10 ns
- 电源电压范围
- 9～14 V
- 工作电源电流
- 3.4 mA
- 耗散功率（Pd）
- 1.3 W
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 输出电压
- 0.4 V
- 技术
- Si
- 关断时间（最大值）
- 10 ns
展开更多参数（4 项）
- 最大关断延迟时间
- 56 ns
- 最大导通延迟时间
- 56 ns
- 工作电源电压
- 9 VDC to 14 VDC
- 单件重量
- 0.002540 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。