芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

134,686 条型号记录

每页 20 条

IRS21084SPBF

Infineon Technologies · 封装：PDIP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 290 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 PDIP-8 封装。

查看资料询价

TC4424EOE713

Microchip Technology · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-16 封装。

查看资料询价

SI8234AB-D-IS1

Silicon Labs · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。

查看资料询价

TC4423EOE713

Microchip Technology · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-16 封装。

查看资料询价

MCP14A0151T-E/CH

Microchip Technology · 封装：Buy Min.: 1Mult.: 1 Reel: 3,000

主要参数包括技术 Si，采用 Buy Min.: 1Mult.: 1 Reel: 3,000 封装。

查看资料询价

VN808TR-32-E

STMicroelectronics

主要参数包括电源电压（最小值） 10.5 V、电源电压（最大值） 45 V、工作电源电压 24 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 High Side。

查看资料询价

ZXGD3108N8TC

Diodes Incorporated · 封装：SO-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 20 V、输出电压 19.2 V、输出电流 3.3 A、工作温度范围 - 50 C to + 150 C，采用 SO-8 封装。

查看资料询价

SI8286CC-IS

Silicon Labs · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 30 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。

查看资料询价

TC4428VUA

Microchip Technology · 封装：MSOP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 MSOP-8 封装。

查看资料询价

TC1412EUA

Microchip Technology · 封装：MSOP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 MSOP-8 封装。

查看资料询价

MAX5063CASA+

Maxim Integrated · 封装：SO-EP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 12.6 V、工作电源电压 8～12.6 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SO-EP-8 封装。

查看资料询价

RE46C101E8F

Microchip Technology · 封装：DIP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 16 V、技术 Si、工作电源电流 100 nA、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 50 C，采用 DIP-8 封装。

查看资料询价

RE46C101S8F

Microchip Technology · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 16 V、技术 Si、工作电源电流 100 nA、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 50 C，采用 SOIC-8 封装。

查看资料询价

TC4627COE

Microchip Technology · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 4～6 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。

查看资料询价

MCP14E6-E/SN

Microchip Technology · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。

查看资料询价

IR2166PBF

Infineon Technologies · 封装：DIP-16

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 25 V、输出电压 10～25 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Photo-Flash Drivers，采用 DIP-16 封装。

查看资料询价

TC4424VOE713

Microchip Technology · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-16 封装。

查看资料询价

SI8261ABC-C-IS

Silicon Labs · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 60 ns、工作电源电流 2 mA，采用 SOIC-8 封装。

查看资料询价

SI8230BD-D-IS

Silicon Labs · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。

查看资料询价

SI8220BD-D-IS

Silicon Labs · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、电源电压（最大值） 24 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 Inverting、产品 Isolated Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。

查看资料询价

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。