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Diodes Incorporated

ZXGD3108N8TC

主要参数包括电源电压(最小值) 4 V、电源电压(最大值) 20 V、工作电源电压 20 V、输出电压 19.2 V、输出电流 3.3 A、工作温度范围 - 50 C to + 150 C,采用 SO-8 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
Diodes Incorporated
产品类别
Gate Drivers
产品系列
ZXGD3
封装
SO-8
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
1 Driver
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

24 项参数
产品
MOSFET Gate Drivers
类型
High Side, Low Side
驱动器数
1 Driver
输出数
1 Output
输出电流
3.3 A
上升时间
695 ns
下降时间
131 ns
电源电压范围
4~20 V
工作电源电流
200 uA
耗散功率(Pd)
785 mW
工作温度范围
-50~150 °C
高度
1.75 mm
展开更多参数(12 项)
长度
4.95 mm
工作温度范围
- 50 C to + 150 C
输出电压
19.2 V
技术
Si
宽度
3.95 mm
关断时间(最大值)
400 ns
关断功能
否
最大关断延迟时间
400 ns
最大导通延迟时间
400 ns
工作电源电压
20 V
商品名称
ZXGD3108
单件重量
0.002610 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

ZXGD3108N8TC 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技