MIC4469YN
Microchip Technology / Micrel · 封装：PDIP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 1.2 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 PDIP-14 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录TC4421CAT
Microchip Technology · 封装：TO-220-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 TO-220-5 封装。TPS2817DBVR
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。L6392D
STMicroelectronics · 封装：SO-14
主要参数包括最大时钟频率 800 KHz、电源电压（最小值） - 0.3 V、电源电压（最大值） 21 V、工作电源电压 12.5～20 V、输出电压 580 V、输出电流 430 mA，采用 SO-14 封装。IRS2153DSPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10.1 V、电源电压（最大值） 16.8 V、工作电源电压 625 V、输出电流 260 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。UCC27524DGN
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。VND3NV04TR-E
STMicroelectronics · 封装：TO-252-2
主要参数包括输出电流 3.5 A、技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output、上升时间 250 ns，采用 TO-252-2 封装。MCP14E7-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MCP14700-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 0.025 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。TC4428EOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。MIC4129YME
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。VNL5090N3TR-E
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。FAN7362MX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOP-8 封装。NCP5181PG
ON Semiconductor · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 60 ns，采用 PDIP-8 封装。VN820B5-E
STMicroelectronics · 封装：P2PAK-4
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 13 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 High Side，采用 P2PAK-4 封装。UCC27325DGN
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。UCC27323P
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。SI8233AD-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。UC3710N
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.7 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.7～18 V、输出电流 6 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。ADUM3123BRZ
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电压 4.5～18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。