STMicroelectronics
VND3NV04TR-E
主要参数包括输出电流 3.5 A、技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output、上升时间 250 ns，采用 TO-252-2 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- STMicroelectronics
- 产品类别
- Gate Drivers
- 产品系列
- VND3NV04
- 封装
- TO-252-2
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
14 项参数- 产品
- MOSFET Gate Drivers
- 驱动器数
- 1 Driver
- 输出数
- 1 Output
- 输出电流
- 3.5 A
- 上升时间
- 250 ns
- 下降时间
- 250 ns
- 工作电源电流
- 100 uA
- 耗散功率（Pd）
- 35 W
- 认证等级
- AEC-Q100
- 技术
- Si
- 关断功能
- 是
- 最大关断延迟时间
- 450 ns
展开更多参数（2 项）
- 最大导通延迟时间
- 90 ns
- 湿敏性
- 是
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。