MAX627ESA+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录SI8235BD-D-ISR
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns。IXDN604SITR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。UCC27201ADRMR
Texas Instruments · 封装：VSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 8～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 VSON-8 封装。MIC4120YME-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4120YME TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。TC4469COE713
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-16 封装。MIC4606-2YML-T5
Microchip Technology · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 5.25 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 Full-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 QFN-16 封装。IRS2453DSTRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 260 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-14 封装。TPS28226DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 8.8 V、工作电源电压 4～8.8 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。EL7457CSZ-T7
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-16
主要参数包括最大时钟频率 40000 kHz、电源电压（最大值） 16.5 V、输出电流 2 A、技术 Si、驱动器数 4 Driver、输出数 4 Output，采用 SOIC-16 封装。SI8234BB-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。IR2132JPbF
Infineon / IR · 封装：PLCC-44
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 625 V、输出电压 10～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si，采用 PLCC-44 封装。UCC27322TDGKREP
Texas Instruments · 封装：VSSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si，采用 VSSOP-8 封装。IR2214SSTRPBF
Infineon Technologies · 封装：SSOP-24
主要参数包括电源电压（最小值） 11.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10.4～20 V、输出电流 1 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SSOP-24 封装。IRS2101STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 130 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。IR2233JTRPBF
Infineon / IR · 封装：PLCC-32
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PLCC-32 封装。VNS14NV04PTR-E
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括输出电流 18 A、技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output、上升时间 350 ns，采用 SO-8 封装。MIC4124YME-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4124YME TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。UCC27526DSDR
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 WSON-8 封装。UCC27200ADRMR
Texas Instruments · 封装：VSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 8～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 VSON-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。