STMicroelectronics
VNS14NV04PTR-E
主要参数包括输出电流 18 A、技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output、上升时间 350 ns，采用 SO-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- STMicroelectronics
- 产品类别
- Gate Drivers
- 产品系列
- VNS14NV04P-E
- 封装
- SO-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
17 项参数- 产品
- MOSFET Gate Drivers
- 驱动器数
- 1 Driver
- 输出数
- 1 Output
- 输出电流
- 18 A
- 上升时间
- 350 ns
- 下降时间
- 150 ns
- 工作电源电流
- 100 uA
- 耗散功率（Pd）
- 4.6 W
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 认证等级
- AEC-Q100
- 技术
- Si
- 关断功能
- 是
展开更多参数（5 项）
- 最大关断延迟时间
- 1350 ns
- 最大导通延迟时间
- 250 ns
- 湿敏性
- 是
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 35 mOhms
- 单件重量
- 0.004395 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。