AUIR08152STR
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 13 V、电源电压（最大值） 25 V、输出电流 10 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Driver ICs - Various，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MIC5020YM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、型号别名 MIC5020YM TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。VN5E160ASTR-E
STMicroelectronics · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 41 V、工作电源电压 4.5～28 V、输出电流 10 A、技术 Si、类型 High Side，采用 SOIC-8 封装。IRS2304STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 130 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。IRS2184STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。TC427EOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。L6491DTR
STMicroelectronics · 封装：SO-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 580 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SO-14 封装。VNS7NV04PTR-E
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括输出电流 - 10.5 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、输出数 1 Output、配置 Single，采用 SO-8 封装。DRF1400
Microchip / Microsemi
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 8～15 V、输出电流 8 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting。DRF1300
Microchip / Microsemi
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 10～15 V、输出电流 8 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting。SI8233BB-D-ISR
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns。TC4452VMF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 12 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 DFN-8 封装。UCC27532DBVR
Texas Instruments · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 35 V、工作电源电压 10～35 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOT-23-6 封装。IRS2301SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。MIC44F18YML-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：MLF-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、型号别名 MIC44F18YML TR、单件重量 0.000384 oz，采用 MLF-8 封装。TC4422MJA
Microchip Technology · 封装：CDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 CDIP-8 封装。EMB1428QSQE/NOPB
Texas Instruments · 封装：WQFN-48
主要参数包括电源电压（最小值） 18 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、逻辑类型 TTL、工作电源电流 750 uA、最小工作温度 - 40 C，采用 WQFN-48 封装。UCC27324DRG4
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。MAX17601AUA+
Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 UMAX-8 封装。MAX17600ATA+T
Maxim Integrated · 封装：TDFN-EP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 TDFN-EP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。