STMicroelectronics
L6491DTR
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 580 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SO-14 封装。
基本资料
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- STMicroelectronics
- 产品类别
- Gate Drivers
- 产品系列
- L6491
- 封装
- SO-14
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
技术参数
19 项参数- 产品
- IGBT, MOSFET Gate Drivers
- 类型
- High Side, Low Side
- 驱动器数
- 2 Driver
- 输出数
- 1 Output
- 输出电流
- 4 A
- 上升时间
- 15 ns
- 下降时间
- 15 ns
- 电源电压范围
- 10～20 V
- 耗散功率（Pd）
- 1 W
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 特性
- Integrated bootstrap diode, Adjustable deadtime, Interlocking function, Comparator for fault protections
- 输出电压
- 580 V
展开更多参数（7 项）
- 技术
- Si
- 关断时间（最大值）
- 120 ns
- 关断功能
- Shutdown
- 最大关断延迟时间
- 120 ns
- 最大导通延迟时间
- 120 ns
- 湿敏性
- 是
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 175 Ω
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。