MCP1404-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电压 0.025 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MC33152DR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。IRS2186STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。TPS2829DBVR
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。VNN7NV04PTR-E
STMicroelectronics · 封装：SOT-223-3
主要参数包括输出电流 - 10.5 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、输出数 1 Output、配置 Single，采用 SOT-223-3 封装。VNS1NV04DPTR-E
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括输出电流 - 3 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、配置 Dual、上升时间 500 ns，采用 SO-8 封装。FAN7382MX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 650 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOP-8 封装。NCV8461DR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 34 V、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOIC-8 封装。UCC37322D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。IRS10752LTRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-6
主要参数包括技术 Si、高度 1.45 mm、长度 2.9 mm、宽度 1.6 mm、型号别名 SP001548482、单件重量 0.000229 oz，采用 SOT-23-6 封装。IRS44273LTRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最大值） 20 V、输出电压 15 V、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOT-23-5 封装。FAN3100TSX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 12 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOT-23-5 封装。FAN3111ESX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 12 V、输出电流 1.4 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOT-23-5 封装。ZXGD3002E6TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最大值） 20 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOT-23-6 封装。ZXGD3006E6QTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括技术 Si、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、认证等级 AEC-Q100、单件重量 0.001129 oz，采用 SOT-23-6 封装。VN7140ASTR
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 28 V、输出电压 5 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 High Side，采用 SO-8 封装。NCP5106ADR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） - 0.3 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。NCP5106BDR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） - 0.3 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 0.7 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-8 封装。VNN1NV04PTR-E
STMicroelectronics · 封装：SOT-223-3
主要参数包括输出电流 1.7 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 SOT-223-3 封装。FAN73901MX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。