STMicroelectronics
VNS1NV04DPTR-E
主要参数包括输出电流 - 3 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、配置 Dual、上升时间 500 ns，采用 SO-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- STMicroelectronics
- 产品类别
- Gate Drivers
- 产品系列
- VNS1NV04DP-E
- 封装
- SO-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
11 项参数- 产品
- MOSFET Gate Drivers
- 类型
- Low Side
- 输出电流
- - 3 A
- 配置
- Dual
- 上升时间
- 500 ns
- 下降时间
- 600 ns
- 工作电源电流
- 150 uA
- 认证等级
- AEC-Q100
- 技术
- Si
- 湿敏性
- 是
- 单件重量
- 0.004395 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。