SI8234BB-D-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-Narrow-16 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录IRS27952STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 300 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。IR2104PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 130 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。ISL89412IBZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 SOIC-8 封装。IR2117SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。FAN3122TMX-F085
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 9.7 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。UCC27325D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。SI8235BB-D-ISR
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns。ISL89411IBZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-8 封装。FAN3122CMX-F085
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 9.7 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。BU2098F-E2
ROHM Semiconductor
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、输出电压 0～15 V、输出电流 25 mA、技术 Si。FAN3121TMX-F085
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。IR21531SPbF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电压 10～20 V、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。2EDL23I06PJ
Infineon Technologies · 封装：SOIC-14
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm、长度 8.75 mm、宽度 3.9 mm、湿敏性 是、商品名称 EiceDRIVER，采用 SOIC-14 封装。IR21531STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 16.8 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-8 封装。2EDL23N06PJ
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 2EDL23N06PJXUMA1 SP001080088。TC4424COE713
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-16 封装。TPS2832DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4.5～15 V、输出电流 2.4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。NCP5369MNR2G
ON Semiconductor · 封装：QFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 25 V、输出电流 35 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 QFN-40 封装。IR2117PBF
Infineon Technologies · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 1225 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 DIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。