Infineon Technologies
IR2117PBF
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 1225 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 DIP-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Infineon
- 品牌
- Infineon Technologies
- 产品类别
- Gate Drivers
- 封装
- DIP-8
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
23 项参数- 产品
- MOSFET Gate Drivers
- 类型
- Half-Bridge
- 驱动器数
- 1 Driver
- 输出数
- 1 Output
- 输出电流
- 200 mA
- 上升时间
- 130 ns
- 下降时间
- 65 ns
- 电源电压范围
- 10～20 V
- 传播延迟（最大值）
- 200 ns
- 工作电源电流
- 340 uA
- 耗散功率（Pd）
- 1000 mW
- 工作温度范围
- -40～125 °C
展开更多参数（11 项）
- 特性
- Synchronous
- 高度
- 5.33 mm
- 长度
- 10.92 mm
- 技术
- Si
- 宽度
- 7.11 mm
- 逻辑类型
- CMOS
- 最大关断延迟时间
- 105 ns
- 最大导通延迟时间
- 125 ns
- 工作电源电压
- 1225 V
- 型号别名
- SP001539138
- 单件重量
- 0.081130 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。