DGD2104MS8-13
Diodes Incorporated · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 20 V、输出电流 600 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SO-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录SID1183K-TL
Power Integrations · 封装：eSOP-R16B
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 28 V、输出电流 8 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 eSOP-R16B 封装。TS13401ULTRT
Semtech · 封装：MLPQ-UT 20
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Relay Drivers，采用 MLPQ-UT 20 封装。BD2270HFV-LBTR
ROHM Semiconductor · 封装：HVSOF-5
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、输出电压 13.5 V、技术 Si、类型 High Side，采用 HVSOF-5 封装。SID1132KQ-TL
Power Integrations · 封装：eSOP-R16B
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 Inverting、逻辑类型 CMOS，采用 eSOP-R16B 封装。MC50XS4200CEKR2
NXP Semiconductors · 封装：SOIC-32
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电流 1.2 A、类型 High Side、产品 Driver ICs - Various、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-32 封装。SID1132K-TL
Power Integrations · 封装：eSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 Inverting、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 eSOP-16 封装。BS2130F-GE2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 11.5 V、电源电压（最大值） 20 V, 600 V、输出电压 11.5～20 V、输出电流 350 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOP-8 封装。DGD2304S8-13
Diodes Incorporated · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 20 V、输出电流 600 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SO-8 封装。SIC530CD-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：PowerPak-22
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 5 V、输出电流 30 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PowerPak-22 封装。SID1182KQ-TL
Power Integrations · 封装：eSOP-R16B
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、输出电流 8 A、技术 Si、类型 Inverting、逻辑类型 CMOS，采用 eSOP-R16B 封装。TBD62502AFG,EL
Toshiba
主要参数包括技术 Si。TBD62502AFWG,EL
Toshiba · 封装：Details
主要参数包括技术 Si，采用 Details 封装。TBD62004AFWG,EL
Toshiba
主要参数包括技术 Si。SID1182K
Power Integrations · 封装：eSOP-R16B
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V, 22 V、电源电压（最大值） 5.25 V, 28 V、输出电流 8 A、技术 Si、类型 Inverting、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 eSOP-R16B 封装。TBD62003APG
Toshiba · 封装：DIP-16
主要参数包括输出电压 50 V、输出电流 500 mA、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si、产品 Driver ICs - Various、驱动器数 7 Driver，采用 DIP-16 封装。SI8271GB-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。SI8271BB-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。SIC770CD-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：PowerPAK MLP-40
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 24 V、输出电流 40 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PowerPAK MLP-40 封装。BS2103F-E2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 10～18 V、输出电压 10～18 V、输出电流 130 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C，采用 SOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。