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ROHM Semiconductor

BD2270HFV-LBTR

主要参数包括电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.7~5.5 V、输出电压 13.5 V、技术 Si、类型 High Side,采用 HVSOF-5 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
ROHM Semiconductor
产品类别
Gate Drivers
封装
HVSOF-5
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

15 项参数
产品
MOSFET Gate Drivers
类型
High Side
驱动器数
1 Driver
输出数
1 Output
上升时间
130 us
下降时间
18 us
电源电压范围
2.7~5.5 V
工作电源电流
50 uA
耗散功率(Pd)
669 mW
工作温度范围
-25~85 °C
输出电压
13.5 V
技术
Si
展开更多参数(3 项)
关断功能
No Shutdown
工作电源电压
2.7~5.5 V
型号别名
BD2270HFV-LB

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

BD2270HFV-LBTR 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技