TBD62083AFG,EL
Toshiba · 封装：SOP-18
主要参数包括输出电压 50 V、输出电流 500 mA、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si、产品 Driver ICs - Various、驱动器数 8 Driver，采用 SOP-18 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录TBD62083AFWG,EL
Toshiba · 封装：PSOP-18
主要参数包括输出电压 50 V、输出电流 500 mA、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si、产品 Driver ICs - Various、驱动器数 8 Driver，采用 PSOP-18 封装。SI8751AB-ISR
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。SIC631CD-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：PowerPak-31
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 24 V、输出电压 5 V、输出电流 50 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PowerPak-31 封装。TBD62503AFG,EL
Toshiba · 封装：SOP-16
主要参数包括输出电压 50 V、输出电流 300 mA、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si、产品 Driver ICs - Various、驱动器数 7 Driver，采用 SOP-16 封装。BS2101F-E2
ROHM Semiconductor · 封装：SOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 600 V, 18 V、输出电压 10～18 V、输出电流 130 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOP-8 封装。ZXGD3112N7TC
Diodes Incorporated · 封装：SO-7
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 11.2 V、输出电流 3.3 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SO-7 封装。SID1132K
Power Integrations · 封装：eSOP-R16B
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V, 22 V、电源电压（最大值） 5.25 V, 28 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 Inverting、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 eSOP-R16B 封装。BD65491FV-E2
ROHM Semiconductor
主要参数包括电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 1.2 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers。SI8751AB-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、单件重量 0.000035 oz，采用 SOIC-8 封装。SIC621CD-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：MLP55-31
主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output、配置 Single、上升时间 35 ns、下降时间 10 ns、耗散功率（Pd） 1.6 W，采用 MLP55-31 封装。SIC645AER-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：MLP55-32L
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 60 A、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 MLP55-32L 封装。DG2034EDN-T1-GE4
Vishay / Siliconix · 封装：QFN-12
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.3 V、技术 Si、类型 Inverting、产品 Driver ICs - Various、驱动器数 1 Driver，采用 QFN-12 封装。SID1182K-TL
Power Integrations · 封装：eSOP-R16B-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、输出电流 8 A、技术 Si、类型 Inverting、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 eSOP-R16B-16 封装。DGD21814S14-13
Diodes Incorporated · 封装：SO-14
主要参数包括技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、湿敏性 是、单件重量 0.005009 oz，采用 SO-14 封装。SID1102K-TL
Power Integrations · 封装：eSOP-R16B
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 28 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS，采用 eSOP-R16B 封装。DGD0504FN-7
Diodes Incorporated · 封装：W-DFN3030-10
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 600 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 W-DFN3030-10 封装。SIC533CD-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：PowerPAK MLP4535-22L
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 35 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Driver ICs - Various，采用 PowerPAK MLP4535-22L 封装。SI8273DBD-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。DGD2110S16-13
Diodes Incorporated · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。