Vishay / Siliconix
SIC645AER-T1-GE3
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 60 A、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 MLP55-32L 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Vishay
- 品牌
- Vishay / Siliconix
- 产品类别
- Gate Drivers
- 产品系列
- SIC6
- 封装
- MLP55-32L
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
14 项参数- 产品
- MOSFET Gate Drivers
- 类型
- High Side, Low Side
- 驱动器数
- 2 Driver
- 输出数
- 1 Output
- 输出电流
- 60 A
- 电源电压范围
- 4.5～18 V
- 工作电源电流
- 4.75 mA, 15 mA
- 耗散功率（Pd）
- 100 W
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 关断功能
- Shutdown
- 最大关断延迟时间
- 40 ns
- 最大导通延迟时间
- 8 ns
展开更多参数（2 项）
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 760 uOhms, 3.6 mOhms
- 商品名称
- DrMOS VRPower
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。