MAX17606AZT+T
Maxim Integrated
主要参数包括技术 Si。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录FAN3181TMX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 25 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOIC-8 封装。LTC7004IMSE#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-10
主要参数包括电源电压（最小值） 0 V、电源电压（最大值） 60 V、输出电压 3.5～15 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-10 封装。DRV8320SRTVT
Texas Instruments · 封装：WQFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 60 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 WQFN-32 封装。FDMF4061
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.005138 oz。BM60212FV-CE2
ROHM Semiconductor · 封装：SSOP-B20W
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 24 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SSOP-B20W 封装。1ED020I12FTAXUMA2
Infineon Technologies · 封装：SOIC-20
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 1ED020I12FTA SP001054670，采用 SOIC-20 封装。1ED020I12BTXUMA1
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 6.5 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 SOIC-16 封装。2EDN7524GXTMA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 2EDN7524G SP001391108。IRS2890DSTRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 480 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-14 封装。NCD5700DR2G
ON Semiconductor · 封装：SO-16
主要参数包括电源电压（最小值） 0 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电压 0.8 V, 14.1 V、输出电流 7.8 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 SO-16 封装。NCD5701CDR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） - 15 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 800 mV, 14.1 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。NCP5109BMNTWG
ON Semiconductor · 封装：DFN-10
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 DFN-10 封装。IRS2007STRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 600 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。NCD5701ADR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） - 15 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 800 mV, 14.1 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。2EDN7523GXTMA1
Infineon Technologies · 封装：WSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 WSON-8 封装。STGAP1ASTR
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。L6498LDTR
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。MD1711FG-G-M931
Microchip Technology · 封装：LQFP-48
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是，采用 LQFP-48 封装。LTC7000HMSE#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 135 V、输出电压 3.5～15 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。