ROHM Semiconductor
BM60212FV-CE2
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 24 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SSOP-B20W 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- Gate Drivers
- 封装
- SSOP-B20W
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
16 项参数- 产品
- IGBT, MOSFET Gate Drivers
- 类型
- High Side, Low Side
- 驱动器数
- 2 Driver
- 输出电流
- 5 A
- 配置
- Dual
- 上升时间
- 50 ns
- 下降时间
- 50 ns
- 电源电压范围
- 10～24 V
- 传播延迟（最大值）
- 25 ns
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 认证等级
- AEC-Q101
- 技术
- Si
展开更多参数（4 项）
- 关断时间（最大值）
- 75 ns
- 最大关断延迟时间
- 75 ns
- 最大导通延迟时间
- 75 ns
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 900 mOhms
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。