UCC27524A1QDGNRQ1
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si、类型 Low Side，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录2EDN8524FXTMA1
Infineon Technologies · 封装：DSO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DSO-8 封装。UCC5390SCDR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 13.2～33 V、输出电流 10 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。DRV8320HRTVR
Texas Instruments · 封装：WQFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 60 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 WQFN-32 封装。SIC1182K
Power Integrations · 封装：eSOP-R16B
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、输出电流 8 A、技术 碳化硅（SiC）、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 eSOP-R16B 封装。STGAP1AS
STMicroelectronics · 封装：SO-24
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 36 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Isolated Gate Drivers，采用 SO-24 封装。DRV8323SRTAR
Texas Instruments · 封装：WQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 60 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 WQFN-40 封装。UCC5350MCDR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 13.2～33 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。1EDN7512BXTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 8 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SOT-23-5 封装。LTC7001EMSE#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-10
主要参数包括电源电压（最小值） 0 V、电源电压（最大值） 135 V、输出电压 3.5～15 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-10 封装。UCC21521CDWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 14.7～25 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。UCC5310MCDR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 13.2～33 V、输出电流 4.3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。LM5109BQNGTTQ1
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 WSON-8 封装。ISO5451QDWRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 15～30 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。FAN8811TMPX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：MLP-10
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Full-Bridge, Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MLP-10 封装。UCC21521DWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 9.2～25 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。FDMQ8205
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：MLP-16
主要参数包括电源电压（最大值） 57 V、输出电压 57 V、技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 4 Driver、输出数 2 Output，采用 MLP-16 封装。UCC20520DWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 9.2～25 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。UCC21225ANPLT
Texas Instruments · 封装：VLGA-13
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 6.5～25 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 VLGA-13 封装。NCV5700DR2G
ON Semiconductor · 封装：SO-16
主要参数包括电源电压（最大值） 20 V、输出电压 5 V、输出电流 7.8 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SO-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。