ON Semiconductor
NCV5700DR2G
主要参数包括电源电压（最大值） 20 V、输出电压 5 V、输出电流 7.8 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SO-16 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ON Semiconductor
- 产品类别
- Gate Drivers
- 封装
- SO-16
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
18 项参数- 产品
- IGBT, MOSFET Gate Drivers
- 类型
- Half-Bridge
- 驱动器数
- 1 Driver
- 输出数
- 1 Output
- 输出电流
- 7.8 A
- 上升时间
- 9.2 ns
- 下降时间
- 7.9 ns
- 电源电压（最大值）
- 20 V
- 工作电源电流
- 900 uA
- 耗散功率（Pd）
- 900 mW
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 认证等级
- AEC-Q100
展开更多参数（6 项）
- 输出电压
- 5 V
- 技术
- Si
- 关断功能
- Shutdown
- 最大关断延迟时间
- 75 ns
- 最大导通延迟时间
- 75 ns
- 单件重量
- 0.005009 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。