芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

134,686 条型号记录

每页 20 条

1EDN7511BXUSA1

Infineon Technologies · 封装：PG-SOT-23-6-2

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 8 A、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PG-SOT-23-6-2 封装。

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UCC5350SBD

Texas Instruments · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 9.5～33 V、输出电流 10 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。

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1EDN8550BXTSA1

Infineon Technologies · 封装：SOT-23-6

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 8 A、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOT-23-6 封装。

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L6498D

STMicroelectronics · 封装：SO-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 480 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SO-8 封装。

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TPL7407LADR

Texas Instruments · 封装：SOP-16

主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 30 V、输出电流 600 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOP-16 封装。

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VNHD7008AYTR

STMicroelectronics · 封装：PowerSSO-36

主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 28 V、输出电流 51 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS，采用 PowerSSO-36 封装。

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STGAP2SCMTR

STMicroelectronics

主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、湿敏性是。

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UCC21222D

Texas Instruments · 封装：SOP-16

主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 9.2～18 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOP-16 封装。

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UCC27710D

Texas Instruments · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 22 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。

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UCC21520QDWQ1

Texas Instruments · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。

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UCC5390ECDWV

Texas Instruments · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 13.2～33 V、输出电流 10 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。

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STGAP2DMTR

STMicroelectronics · 封装：SO-16

主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 26 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SO-16 封装。

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UCC27511ADBVT

Texas Instruments · 封装：SOT-23-6

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 20 V、输出电流 8 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOT-23-6 封装。

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6ED2230S12TXUMA1

Infineon Technologies · 封装：DSO-24

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 650 mA、技术 Si、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers、驱动器数 6 Driver，采用 DSO-24 封装。

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IX4340UE

IXYS · 封装：MSOP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 MSOP-8 封装。

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NCP81258MNTBG

ON Semiconductor · 封装：DFN-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.2 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 DFN-8 封装。

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TPL7407LAQPWRQ1

Texas Instruments · 封装：TSSOP-16

主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 30 V、输出电流 600 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 TSSOP-16 封装。

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1EDC60I12AHXUMA1

Infineon Technologies · 封装：DSO-8-59

主要参数包括电源电压（最小值） 3.1 V、电源电压（最大值） 17 V、输出电压 13～35 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 High Side，采用 DSO-8-59 封装。

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1EDC30I12MHXUMA1

Infineon Technologies · 封装：DSO-8-59

主要参数包括电源电压（最小值） 3.1 V、电源电压（最大值） 17 V、输出电压 13～18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 High Side，采用 DSO-8-59 封装。

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VNHD7012AYTR

STMicroelectronics · 封装：PowerSSO-36

主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 28 V、输出电流 40 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS，采用 PowerSSO-36 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。