ON Semiconductor
NCP81258MNTBG
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.2 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 DFN-8 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ON Semiconductor
- 产品类别
- Gate Drivers
- 封装
- DFN-8
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
12 项参数- 产品
- MOSFET Gate Drivers
- 类型
- High Side, Low Side
- 驱动器数
- 1 Driver
- 上升时间
- 16 ns
- 下降时间
- 11 ns
- 电源电压范围
- 4.5～13.2 V
- 传播延迟（最大值）
- 25 ns
- 工作电源电流
- 12.2 mA
- 工作温度范围
- -40～150 °C
- 特性
- Internal Bootstrap Diode, Undervoltage Lockout
- 技术
- Si
- 关断功能
- No Shutdown
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。