AUIR3242STRXUMA1
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电压 90 V、输出电流 300 mA、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录UCC21530DWK
Texas Instruments · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 25 V、输出电流 6 A、技术 碳化硅（SiC）、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-14 封装。LMG1210RVRT
Texas Instruments · 封装：WQFN-19
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 5 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 氮化镓（GaN），采用 WQFN-19 封装。UCC24624DT
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.25 V、电源电压（最大值） 26 V、输出电压 36 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、逻辑类型 TTL，采用 SOIC-8 封装。LM5108DRCT
Texas Instruments · 封装：VSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电压 0 V、输出电流 2.6 A、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS，采用 VSON-10 封装。IX4424G
IXYS Integrated Circuits · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DIP-8 封装。UCC27282DRCT
Texas Instruments · 封装：VSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电压 0.13 V、输出电流 3.5 A、类型 Half-Bridge、逻辑类型 TTL，采用 VSON-10 封装。PWD5F60
STMicroelectronics · 封装：VFQFPN-15
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 15 V、技术 Si、类型 Full-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 VFQFPN-15 封装。UCC21220AD
Texas Instruments · 封装：SOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 6～18 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 氮化镓（GaN），采用 SOP-16 封装。UCC21530QDWKQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 25 V、输出电流 58 mA、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-14 封装。UCC21540DWK
Texas Instruments · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 18 V、输出电流 73 mA、技术 氮化镓（GaN）、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-14 封装。MCP14A1201-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 12 A、技术 Si、类型 Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MCP14A0902-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 0.025 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 MSOP-8 封装。MCP14A0301-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、类型 Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 MSOP-8 封装。MCP14A0302-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 MSOP-8 封装。MCP14A1202-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 12 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-8 封装。ADUM4122CRIZ
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 11.6～35 V、输出电流 2 A、逻辑类型 CMOS、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MCP14A0301-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、类型 Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOIC-8 封装。MAX25610BAUE/V+
Maxim Integrated
主要参数包括认证等级 AEC-Q 100。MCP14A0901-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 0.025 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。