Texas Instruments
LMG1210RVRT
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 5 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 氮化镓（GaN），采用 WQFN-19 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Texas Instruments
- 产品类别
- Gate Drivers
- 产品系列
- LMG1210
- 封装
- WQFN-19
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
20 项参数- 产品
- MOSFET Gate Drivers
- 类型
- High Side, Low Side
- 驱动器数
- 2 Driver
- 输出数
- 2 Output
- 输出电流
- 3 A
- 上升时间
- 0.5 ns
- 下降时间
- 0.5 ns
- 电源电压范围
- 4.75～18 V
- 传播延迟（最大值）
- 20 ns
- 工作电源电流
- 380 uA
- 工作温度范围
- -40～125 °C
- 工作温度范围
- - 40 C to + 125 C
展开更多参数（8 项）
- 输出电压
- 5 V
- 技术
- 氮化镓（GaN）
- 逻辑类型
- TTL
- 关断时间（最大值）
- 18 ns
- 最大关断延迟时间
- 18 ns
- 最大导通延迟时间
- 18 ns
- 湿敏性
- 是
- 漏源导通电阻（Rds On）
- 400 mOhms
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。