STGAP2SICSANC
STMicroelectronics
主要参数包括认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录TPSI3050MDWZR
Texas Instruments · 封装：SO-MOD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、输出电压 10.2 V、输出电流 1.5 A, 3 A、技术 Si，采用 SO-MOD-8 封装。TPSI3050DWZR
Texas Instruments · 封装：SO-MOD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、输出电压 10.2 V、输出电流 1.5 A, 3 A、技术 Si，采用 SO-MOD-8 封装。TPSI3050QDWZRQ1
Texas Instruments · 封装：SO-MOD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电压 10.2 V、输出电流 1.5 A, 3 A、类型 Automotive Reinforced Isolated Switch Driver、隔离电压 3000 Vrms、最小工作温度 - 40 C，采用 SO-MOD-8 封装。TPSI3050SDWZR
Texas Instruments
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。TPSI3050SQDWZRQ1
Texas Instruments · 封装：SO-MOD-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是，采用 SO-MOD-8 封装。TPSI3052DWZR
Texas Instruments
主要参数包括组装国家或地区 中国台湾、晶圆制造国家或地区 美国、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。TPSI3052QDWZRQ1
Texas Instruments
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。TPSI3052SDWZR
Texas Instruments
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。TPSI3052SQDWZRQ1
Texas Instruments · 封装：SO-MOD-8
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、组装国家或地区 中国台湾，采用 SO-MOD-8 封装。MCP14A1201T-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 12 A、技术 Si、类型 Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 TDFN-8 封装。LMG3410R070RWHT
Texas Instruments · 封装：VQFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 9.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 40 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 VQFN-32 封装。FDMF5833-F085
ON Semiconductor · 封装：PQFN-31
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 19 V、输出电流 50 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 PQFN-31 封装。LMG1210RVRR
Texas Instruments · 封装：WQFN-19
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 5 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 氮化镓（GaN），采用 WQFN-19 封装。UCC23513DWY
Texas Instruments · 封装：SOIC-6
主要参数包括输出电压 14～33 V、输出电流 5.3 A、技术 碳化硅（SiC）、逻辑类型 CMOS、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOIC-6 封装。CSD96497Q5MCT
Texas Instruments · 封装：VSON-CLIP-12
主要参数包括输出电流 65 A、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output、配置 Single、最小工作温度 - 55 C，采用 VSON-CLIP-12 封装。UCC21530DWKR
Texas Instruments · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 25 V、输出电流 6 A、技术 碳化硅（SiC）、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-14 封装。FAD7191M1X
ON Semiconductor · 封装：SOP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 7.8 V、电源电压（最大值） 9.8 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SOP-14 封装。MCP14A1202T-E/MNY
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 12 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 TDFN-8 封装。UCC21220ADR
Texas Instruments · 封装：SOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 6～18 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 氮化镓（GaN），采用 SOP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。