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Texas Instruments

LMG3410R070RWHT

主要参数包括电源电压(最小值) 9.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 40 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Non-Inverting,采用 VQFN-32 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
Texas Instruments
产品类别
Gate Drivers
产品系列
LMG3410R070
封装
VQFN-32
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

19 项参数
产品
MOSFET Gate Drivers
类型
Non-Inverting
驱动器数
1 Driver
输出数
1 Output
输出电流
40 A
配置
Single
上升时间
15 ns
下降时间
4.2 ns
电源电压范围
9.5~18 V
传播延迟(最大值)
20 ns, 36 ns
工作电源电流
43 mA
工作温度范围
-40~125 °C
展开更多参数(7 项)
工作温度范围
- 40 C to + 125 C
技术
Si
逻辑类型
CMOS
最大关断延迟时间
10 ns
最大导通延迟时间
12 ns
湿敏性
是
漏源导通电阻(Rds On)
70 mOhms

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

LMG3410R070RWHT 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技