MT48LC16M8A2BB-6A XIT:L TR
Micron · 封装：TFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 位，采用 TFBGA-60 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录W632GG8MB-09
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。W632GU6MB15I
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。W632GU6MB-09
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。W632GU8MB-11
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。W632GU8MB-09
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。W632GU8MB-15
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。W632GU8MB-12
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。AS4C4M32S-7TCN
Alliance Memory · 封装：TSOP-86
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-86 封装。W632GU6MB-11
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。W632GU6MB-15
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。W632GG8MB-12
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。IS41LV16105D-50KLI
ISSI · 封装：SOJ-42
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 FPM DRAM、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 1 M x 16，采用 SOJ-42 封装。W632GG6MB15I
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。W632GG6MB-11
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。W632GG6MB12I
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。W632GG6MB11I
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。AS4C256M8D3-15BCN
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。W632GG6MB09I
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。AS4C64M16D3A-12BAN
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。