GD9FU4G8F4BLGI
GigaDevice · 封装：FBGA-63
采用 FBGA-63 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录GD9FU4G8F3AMGJ
GigaDevice · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 30 mA，采用 TSOP-I-48 封装。GD9FU4G8F3ALGJ
GigaDevice · 封装：FBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、读取工作电流（最大值） 30 mA，采用 FBGA-63 封装。GD9FU4G8F3ALGI
GigaDevice · 封装：FBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-63 封装。GD9FU4G8F2AMGI
GigaDevice · 封装：TSOP-I-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-I-48 封装。GD9FU4G8F2ALGI
GigaDevice · 封装：FBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-63 封装。GD9FU2G8F3AMGJ
GigaDevice
NAND FlashTC58BVG0S3HBAI4
Kioxia America · 封装：TFBGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 TFBGA-63 封装。TC58BYG0S3HBAI6
Kioxia America · 封装：VFBGA-67
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 VFBGA-67 封装。TC58BVG0S3HBAI6
Kioxia America · 封装：VFBGA-67
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-67 封装。TC58BVG0S3HTA00
Kioxia America · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-48 封装。TC58BVG1S3HBAI6
Kioxia America · 封装：VFBGA-67
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 256 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-67 封装。TC58BVG1S3HTA00
Kioxia America · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 TSOP-48 封装。TC58BVG1S3HTAI0
Kioxia America · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 TSOP-48 封装。TC58BVG2S0HBAI4
Kioxia America · 封装：TFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TFBGA-63 封装。TC58BVG2S0HBAI6
Kioxia America · 封装：FBGA-67
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 FBGA-67 封装。TC58BYG0S3HBAI4
Kioxia America · 封装：TFBGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储组织结构 128 M x 8，采用 TFBGA-63 封装。TC58BYG1S3HBAI4
Kioxia America · 封装：TFBGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储组织结构 256 M x 8，采用 TFBGA-63 封装。TC58NVG2S0HTAI0
Kioxia America · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储组织结构 512 M x 8，采用 TSOP-48 封装。TC58NVG0S3HBAI4
Kioxia America · 封装：TFBGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 TFBGA-63 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。