ChipSourceHub 美芯科技

Kioxia America

TC58BYG0S3HBAI6

主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储组织结构 128 M x 8,采用 VFBGA-67 封装。

基本资料

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制造商
Kioxia
品牌
Kioxia America
产品类别
NAND Flash
封装
VFBGA-67
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
托盘

技术参数

11 项参数
存储容量
1 Gbit
接口类型
Parallel
存储组织结构
128 M x 8
定时类型
Synchronous
数据总线宽度
8 位
电源电压范围
1.7~1.95 V
电源电流(最大值)
30 mA
工作温度范围
-40~85 °C
原产国家或地区
中国
湿敏性
是
单件重量
0.035274 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

TC58BYG0S3HBAI6 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技