MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F TR
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 VFBGA-63 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT29F256G08EBHBFB16C3WC1-FES
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 256 Gbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储组织结构 32 G x 8，采用 Die 封装。MT29F2G16ABBGAH4-AATES:G
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-63 封装。MT29F256G08EBCAGB16A3WC1-M
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 256 Gbit、接口类型 Parallel、存储器类型 NAND、存储组织结构 32 G x 8、数据总线宽度 8 位、最小工作温度 0 C，采用 Die 封装。MT29F64G08CBCGBL04A3WC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 64 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。MT29F32G08CBADAL83A3WC1-M
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 32 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。MT29F4G08ABAEAM70M3WC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。MT29F1G08ABBFAH4-AATES:F
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 M x 8、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-63 封装。MT29F2G08ABBGAM79A3WC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。MT29F1G08ABBEAM68M3WC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。MT29F128G08CBCEBL05B3WC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 128 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous, Synchronous、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。TH58DVG5S0ETA2
Toshiba Memory · 封装：TSOP-48
主要参数包括存储容量 32 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储器类型 NAND，采用 TSOP-48 封装。MT29F64G08CBABAL84A3WC1-M
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 64 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。MT29F1T08EEHAFJ4-3ITFES:A
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 1 Tbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 128 G x 8，采用 VBGA-132 封装。MT29F1G16ABBFAH4-AATES:F
Micron · 封装：VFBGA-63
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.95 V、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 64 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-63 封装。S34ML08G201TFB000
SkyHigh Memory
主要参数包括存储器类型 NAND、产品 NAND Flash。MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A
Micron · 封装：VBGA-132
主要参数包括存储容量 512 Gbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储组织结构 64 G x 8，采用 VBGA-132 封装。MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F
Micron
主要参数包括产品 NAND Flash。MT29F16G08ABECBM72A3WC1P
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、定时类型 Synchronous、存储器类型 NAND，采用 Die 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。