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Micron

MT29F1G08ABBEAM68M3WC1

主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压(最小值) 1.7 V、电源电压(最大值) 1.95 V、接口类型 Parallel、定时类型 Asynchronous、存储器类型 NAND,采用 Die 封装。

基本资料

制造商
Micron Technology
品牌
Micron
产品类别
NAND Flash
产品系列
MT29F
封装
Die
包装方式
托盘
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

12 项参数
存储容量
1 Gbit
接口类型
Parallel
存储组织结构
128 G x 8
定时类型
Asynchronous
数据总线宽度
8 位
电源电压范围
1.7~1.95 V
电源电流(最大值)
20 mA
工作温度范围
0~70 °C
存储器类型
NAND
产品
NAND Flash
类型
No Boot Block
标准
Not Supported

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

MT29F1G08ABBEAM68M3WC1 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技